ФОСФИД ГАЛЛИЯ
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ
1. Синтезированный GaP получают из галлия и фосфора чистотой 99,9999 в тиглях из пиролитического нитрида бора.
Концентрация носителей заряда менее 2٠1016см-3.
2. Поликристаллический фосфид галлия выращивается методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида (LEC) в кварцевом тигле из синтезированного GaP.
Концентрация носителей заряда - менее 2٠1016см-3.
Диаметр - 30 ÷ 110 мм.
Длина - 10 ÷ 100 мм.
3. Поликристаллический фосфид галлия выращивается методом Чохральского (LEC) из-под слоя борного ангидрида в кварцевом тигле из синтезированного GaP.
Концентрация носителей заряда - менее 1٠1015см-3.
Диаметр - 30 ÷ 110 мм.
Длина - 10 ÷ 100 мм.
4. Перетянутый фосфид галлия режется на шайбы толщиной 2 - 5 мм и диаметром 15-80 мм
Примечание:
Возможно изготовление поликристаллического фосфида галлия по требованиям заказчика, отличающимся от вышеуказанных.
Цена от 800$ за килограмм включая НДС.
Объем поставляемой партии 0,1÷ 50,0 кг в месяц.