ЮниСаф-Малахит

№ п/п

Параметр

Ед.

изм.

Свойства пластин

1

Тип проводимости

нелегированный

2

Легирование

-

3

Ориентация кристалла

Любая, в том числе [111], [100], [110], [511], [311], [211] с заданной разориентацией 

4

Ориентация поверхности

Любая, в том числе  (111), (100), (110), (511), (311), (211) с разориентацией  (0÷30)^о в заданном направлении

5

Отклонение поверхности от заданной

 ± 0,5^о

6

Диаметр

мм

50±0,2                               50,8±0,2                             51,8±0,2                             76,2±0,2

любой в диапазоне 10-110,  в том числе и произвольной формы

7

Толщина

мкм

250±10           280±15          300±15         350±15            400±15           500±20             1000±25

любая в диапазоне 250-30000

8

Плотность дислокаций

См^-2

<5٠10⁵                          <1٠10⁵                                                                <5٠10⁴                                                 <1٠10⁴

9

Основной базовый срез

По требованию заказчика

               Ориентация

Типичные:               (11-2) ±1,0^о                                (01-1) ±1,0^о                                       (0-1-1) ±1,0^о  

               Длина

мм

Типичные:                  10±1,5                                   16±1,0                                   22±1,0

               Стандарт

E-J стандарт               SEMI - стандарт          или                      по требованию заказчика

10

Дополнительный базовый срез     

По требованию заказчика

                    Ориентация

Типичные:                  90^о от основ                           (011) ±2,0^о                           (0-11) ±5,0^о     

                    Длина

мм

Типичные:                            7±1,0                                       8±1,0                         11±1,0

                   Стандарт

E-J стандарт               SEMI - стандарт           или                      по требованию заказчика

11

TTV

мкм

<20

12

Прогиб

мкм

<40

13

Фаска

Стандартная              или                  по требованиям заказчика

14

Характеристика поверхности

          Рабочая

резаная и слабо травленная, шлифованная и слабо травленная, полированная, зеркальнополированная, EPI-ready

          Обратная

резаная и слабо травленная, шлифованная и слабо травленная, полированная, зеркальнополированная

15

Концентрация носителей заряда

(любая по требованию заказчика)

см^-3

<1٠10¹⁶

<1٠10¹⁵

-

16

Подвижность носителей заряда

см²/В٠с

≥150

≥180

-

17

18

Пропускание на длине волны 820 нм

%

>40

19

Коэффициент поглощения на длине волны 580 нм

см^-1

<1,93

20

Коэффициент поглощения на длине волны 980 нм

см^-1

<1,5

21

Упаковка

Индивидуальная                  или                              групповая по 25 штук

№ п/п

Параметр

Ед.

изм.

Свойства пластин

1

Тип проводимости

n-тип

2

Легирование

-

S,Si,Te,Se.Ge,Sn и др.

3

Ориентация кристалла

Любая, в том числе [111], [100], [110], [511], [311], [211] с заданной разориентацией 

4

Ориентация поверхности

Любая, в том числе  (111), (100), (110), (511), (311), (211) с разориентацией  (0÷30)^о в заданном направлении

5

Отклонение поверхности от заданной

 ± 0,5^о

6

Диаметр

мм

50±0,2                               50,8±0,2                             51,8±0,2                             76,2±0,2

любой в диапазоне 10-110,  в том числе и произвольной формы

7

Толщина

мкм

250±10           280±15          300±15         350±15            400±15           500±20             1000±25

любая в диапазоне 250-30000

8

Плотность дислокаций

См^-2

<5٠10⁵                          <1٠10⁵                                                                <5٠10⁴                                                 <1٠10⁴

9

Основной базовый срез

По требованию заказчика

               Ориентация

Типичные:               (11-2) ±1,0^о                                (01-1) ±1,0^о                                       (0-1-1) ±1,0^о  

               Длина

мм

Типичные:                  10±1,5                                   16±1,0                                   22±1,0

               Стандарт

E-J стандарт               SEMI - стандарт          или                      по требованию заказчика

10

Дополнительный базовый срез     

По требованию заказчика

                    Ориентация

Типичные:                  90^о от основ                           (011) ±2,0^о                           (0-11) ±5,0^о     

                    Длина

мм

Типичные:                            7±1,0                                       8±1,0                         11±1,0

                   Стандарт

E-J стандарт               SEMI - стандарт           или                      по требованию заказчика

11

TTV

мкм

<20

12

Прогиб

мкм

<40

13

Фаска

Стандартная              или                  по требованиям заказчика

14

Характеристика поверхности

          Рабочая

резаная и слабо травленная, шлифованная и слабо травленная, полированная, зеркальнополированная, EPI-ready

          Обратная

резаная и слабо травленная, шлифованная и слабо травленная, полированная, зеркальнополированная

15

Концентрация носителей заряда

(любая по требованию заказчика)

см^-3

<

(3÷6)٠10¹⁷

(3÷5,2)٠10¹⁷

(2÷5)٠10¹⁷

(1÷3)٠10¹⁷

(5÷20)٠10¹⁷

(1÷20)٠10¹⁷

(5÷20)٠10¹⁷

(5÷10)٠10¹⁷

(3,5÷20)٠10¹⁷

-

16

Подвижность носителей заряда

см²/В٠с

≥150

≥180

≥100

≥60

17

Ом٠см

18

19

20

21

№ п/п

Параметр

Ед.

изм.

Свойства пластин

1

Тип проводимости

p-тип

2

Легирование

-

Zn,Cd,Mg и др.

3

Ориентация кристалла

Любая, в том числе [111], [100], [110], [511], [311], [211] с заданной разориентацией 

4

Ориентация поверхности

Любая, в том числе  (111), (100), (110), (511), (311), (211) с разориентацией  (0÷30)^о в заданном направлении

5

Отклонение поверхности от заданной

 ± 0,5^о

6

Диаметр

мм

50±0,2                               50,8±0,2                             51,8±0,2                             76,2±0,2

любой в диапазоне 10-110,  в том числе и произвольной формы

7

Толщина

мкм

250±10           280±15          300±15         350±15            400±15           500±20             1000±25

любая в диапазоне 250-30000

8

Плотность дислокаций

См^-2

<5٠10⁵                          <1٠10⁵                                                                <5٠10⁴                                                 <1٠10⁴

9

Основной базовый срез

По требованию заказчика

               Ориентация

Типичные:               (11-2) ±1,0^о                                (01-1) ±1,0^о                                       (0-1-1) ±1,0^о  

               Длина

мм

Типичные:                  10±1,5                                   16±1,0                                   22±1,0

               Стандарт

E-J стандарт               SEMI - стандарт          или                      по требованию заказчика

10

Дополнительный базовый срез     

По требованию заказчика

                    Ориентация

Типичные:                  90^о от основ                           (011) ±2,0^о                           (0-11) ±5,0^о     

                    Длина

мм

Типичные:                            7±1,0                                       8±1,0                         11±1,0

                   Стандарт

E-J стандарт               SEMI - стандарт           или                      по требованию заказчика

11

TTV

мкм

<20

12

Прогиб

мкм

<40

13

Фаска

Стандартная              или                  по требованиям заказчика

14

Характеристика поверхности

          Рабочая

резаная и слабо травленная, шлифованная и слабо травленная, полированная, зеркальнополированная, EPI-ready

          Обратная

резаная и слабо травленная, шлифованная и слабо травленная, полированная, зеркальнополированная

15

Концентрация носителей заряда

(любая по требованию заказчика)

см^-3

(3÷8)٠10¹⁷

(3÷8)٠10¹⁸

(1÷9)٠10¹⁷

>1٠10¹⁸

>4٠10¹⁸

-

16

Подвижность носителей заряда

см²/В٠с

≥60

≥40

-

17

18

19

20

21

Упаковка

Индивидуальная                  или                              групповая по 25 штук

№ п/п

Параметр

Ед.

изм.

Свойства пластин

1

Тип проводимости

i-тип  (полуизолирующий)

2

Легирование

Cr,Fe,Ti,V,Mn и др.

3

Ориентация кристалла

Любая, в том числе [111], [100], [110], [511], [311], [211] с заданной разориентацией 

4

Ориентация поверхности

Любая, в том числе  (111), (100), (110), (511), (311), (211) с разориентацией  (0÷30)^о в заданном направлении

5

Отклонение поверхности от заданной

 ± 0,5^о

6

Диаметр

мм

50±0,2                               50,8±0,2                             51,8±0,2                             76,2±0,2

любой в диапазоне 10-110,  в том числе и произвольной формы

7

Толщина

мкм

250±10           280±15          300±15         350±15            400±15           500±20             1000±25

любая в диапазоне 250-30000

8

Плотность дислокаций

См^-2

<5٠10⁵                          <1٠10⁵                                                                <5٠10⁴                                                 <1٠10⁴

9

Основной базовый срез

Продолжение »